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60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, Cagliari, Sardinia, 27-05-2001, 2001 -
High performance AlGaN/GaN HEMTs on a resistive silicon substrate
11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, Padova, 2001, 2001 -
Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 2001, 2001 -
Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, New Orleans, LA, 2001, 2001 -
Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, La Plagne, 2002, 2002 -
Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité
GDR Grand Gap, Fréjus, 2004, 2004 -
Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
10èmes Journées de la Matière Condensée, Toulouse, 28-08-2006, 2006 -
Conception et réalisation de transistors HEMT AlGaN/GaN avec différentes topologies fieldplate
10èmes Journées de la Matière Condensée, Toulouse, 28-08-2006, 2006 -
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, Austin, TX, 2002, 2002 -
Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, Saint Aigulf, 2002, 2002