InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.-F [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Alomari, M [Auteur]
Gonschorek, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Feltin, E [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Py, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Kohn, E [Auteur]

Carlin, J.-F [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Alomari, M [Auteur]
Gonschorek, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Feltin, E [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Py, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Kohn, E [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Device Research Conference
Ville :
Santa barbara
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2008-06-23
Titre de la revue :
DRC2008
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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