A method to determine wide bandgap power ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SaPIW.2019.8781641
Title :
A method to determine wide bandgap power devices packaging interconnections
Author(s) :
Pace, Loris [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur] refId
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Conference title :
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI)
City :
Chambery
Country :
France
Start date of the conference :
2019-06-18
Book title :
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI)
Journal title :
Proceedings of 23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity, SPI 2019
Publisher :
IEEE
Publication date :
2019
English keyword(s) :
S-parameters
Packaging interconnections
access parasitics
GaN transistor
SiC diode
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Wide Bandgap (WBG) power devices show very good characteristics for high frequency operation in power converters, leading to a better power integration by reducing size and weight of passive components. Access parasitics ...
Show more >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL