Titre :

Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer

Auteur(s) :

Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, Bertrand [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications [LAAS-MOST]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Éditeur :

Wiley

Date de publication :

2021-09

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific ...
Lire la suite >In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific transfer technology uses sputtered AlN as bonding layer. An improvement in maximum DC current density of 14% is observed after transfer on the diamond substrate, with attractive RF performances as well. Lag effects are evaluated thanks to pulsed measurement. Thermal analysis is also proposed to quantify the effects of bonding on self-heating. Both electrical and thermal characterizations are used as markers to evaluate the impact of the transfer process on the developed HEMT.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Date de dépôt :

2021-07-27T06:59:50Z