Titre :

Advantages of ALD over evaporation deposition for high-K materials integration in high power capacitive RF MEMS

Auteur(s) :

Croizier, Guillaume [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Martins, Paolo [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Le Bailiff, M. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Aubry, Raphaël [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Bansropun, S. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Fryziel, Michel [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Nathalie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ziaei, Afshin [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]

Titre de la manifestation scientifique :

19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers)

Ville :

Kaohsiung

Pays :

Taïwan

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-06-18

Titre de l’ouvrage :

19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers)

Titre de la revue :

Proceedings of 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, TRANSDUCERS 2017

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2017

Mot(s)-clé(s) en anglais :

ALD
Evaporation
High-K
RF MEMS

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We report a study over a wide range of high-K dielectric materials (AlxOy, HfOx, TiOx.) deposited by different techniques (Evaporation, ALD, PEALD ... ) for high power RF applications. Main results show that ALD technique ...
Lire la suite >We report a study over a wide range of high-K dielectric materials (AlxOy, HfOx, TiOx.) deposited by different techniques (Evaporation, ALD, PEALD ... ) for high power RF applications. Main results show that ALD technique is matching the McPherson trend based on thermochemical prediction. Furthermore ALD materials are promising to meet high power requirements for capacitive RF MEMS switches. As a result, Thermal ALD HfO2 was integrated in high power capacitive RF MEMS switches in order to improve their RF performances, power handling and reliability.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL