Ultrafast quantum-well photodetectors ...
Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
Titre :
Ultrafast quantum-well photodetectors operating at 10µm with flat frequency response up to 70GHz at room temperature
Auteur(s) :
Hakl, M [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lin, Q [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, M [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pirotta, S [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Colombelli, R [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Wan, W [Auteur]
Cao, J [Auteur]
Li, H [Auteur]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbieri, Stefano [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lin, Q [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, M [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pirotta, S [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Colombelli, R [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Wan, W [Auteur]
Cao, J [Auteur]
Li, H [Auteur]
Peytavit, Emilien [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbieri, Stefano [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
ACS Photonics
Pagination :
464-471
Éditeur :
American Chemical Society
Date de publication :
2021-02-17
ISSN :
2330-4022
Mot(s)-clé(s) en anglais :
mid-infrared
quantum-well photodetector
intersubband transitions
infrared antenna
heterodyne detection
broadband
quantum-well photodetector
intersubband transitions
infrared antenna
heterodyne detection
broadband
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]/Physique [physics]/Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]/Physique [physics]/Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Résumé en anglais : [en]
III-V semiconductor mid-infrared photodetectors based on intersubband transitions hold a great potential for ultra-high-speed operation up to several hundreds of GHz. In this work we exploit a ~350nm-thick GaAs/Al0.2Ga0.8As ...
Lire la suite >III-V semiconductor mid-infrared photodetectors based on intersubband transitions hold a great potential for ultra-high-speed operation up to several hundreds of GHz. In this work we exploit a ~350nm-thick GaAs/Al0.2Ga0.8As multi-quantum-well heterostructure to demonstrate heterodyne detection at l~10µm with a nearly flat frequency response up to 70GHz at room temperature, solely limited by the measurement system bandwidth. This is the broadest RFbandwidth reported to date for a quantum-well mid-infrared photodetector. Responsivities of 0.15A/W and 1.5A/W are obtained at 300K and 77K respectively. To allow ultrafast operation and illumination at normal incidence, the detector consists of a 50W coplanar waveguide, monolithically integrated with a 2D-array of sub-wavelength patch antennas, electrically interconnected by suspended wires. With this device architecture we obtain a parasitic capacitance of ~30fF, corresponding to the static capacitance of the antennas, yielding a RClimited 3dB cutoff frequency >150GHz at 300K, extracted with a small-signal equivalent circuit model. Using this model, we quantitively reproduce the detector frequency response and find intrinsic roll-off time constants as low as 1ps at room temperature.Lire moins >
Lire la suite >III-V semiconductor mid-infrared photodetectors based on intersubband transitions hold a great potential for ultra-high-speed operation up to several hundreds of GHz. In this work we exploit a ~350nm-thick GaAs/Al0.2Ga0.8As multi-quantum-well heterostructure to demonstrate heterodyne detection at l~10µm with a nearly flat frequency response up to 70GHz at room temperature, solely limited by the measurement system bandwidth. This is the broadest RFbandwidth reported to date for a quantum-well mid-infrared photodetector. Responsivities of 0.15A/W and 1.5A/W are obtained at 300K and 77K respectively. To allow ultrafast operation and illumination at normal incidence, the detector consists of a 50W coplanar waveguide, monolithically integrated with a 2D-array of sub-wavelength patch antennas, electrically interconnected by suspended wires. With this device architecture we obtain a parasitic capacitance of ~30fF, corresponding to the static capacitance of the antennas, yielding a RClimited 3dB cutoff frequency >150GHz at 300K, extracted with a small-signal equivalent circuit model. Using this model, we quantitively reproduce the detector frequency response and find intrinsic roll-off time constants as low as 1ps at room temperature.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
publié dans ACS photonics 10.1021/acsphotonics.0c01299
Source :
Fichiers
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