Titre :

A broadband active microwave monolithically integrated circuit balun in graphene technology

Auteur(s) :

Fadil, Dalal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Passi, Vikram [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wei, Wei [Auteur]
School of Computer and Electronic Information [Guangxi University]
Salk, Soukaina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zhou, Di [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Strupinski, Wlodek [Auteur]
Warsaw University of Technology [Warsaw]
Lemme, Max [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

Titre de la revue :

Applied Sciences

Pagination :

2183

Éditeur :

Multidisciplinary digital publishing institute (MDPI)

Date de publication :

2020-03

ISSN :

2076-3417

Mot(s)-clé(s) en anglais :

graphene
microwave
MMIC
integrated circuits
active balun
2D materials

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

This paper presents the first graphene radiofrequency (RF) monolithic integrated balun circuit. It is composed of four integrated graphene field effect transistors (GFETs). This innovative active balun concept takes advantage ...
Lire la suite >This paper presents the first graphene radiofrequency (RF) monolithic integrated balun circuit. It is composed of four integrated graphene field effect transistors (GFETs). This innovative active balun concept takes advantage of the GFET ambipolar behavior. It is realized using an advanced silicon carbide (SiC) based bilayer graphene FET technology having RF performances of about 20 GHz. Balun circuit measurement demonstrates its high frequency capability. An upper limit of 6 GHz has been achieved when considering a phase difference lower than 10° and a magnitude of amplitude imbalance less than 0.5 dB. Hence, this circuit topology shows excellent performance with large broadband performance and a functionality of up to one-third of the transit frequency of the transistor.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet Européen :

Graphene Flagship Core Project 2

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL