Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

Type de document :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Missous, M. [Auteur]
Dobaczewski, L. [Auteur]
Institute of Physics [Warsaw] [IFPAN]
Harness, P. [Auteur]
Maude, Duncan Kennedy [Auteur]
Portal, J. [Auteur]

Titre de la revue :

MRS Proceedings

Date de publication :

1994-10

Mot(s)-clé(s) :

AsGa
Piège DX

Mot(s)-clé(s) en anglais :

GaAs
DX centre

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé :

Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

Résumé en anglais : [en]

Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

Caracterisation d'AsGa à plans de dopage BibTeX CSV Excel RIS