High performance HBV multipliers monolithically ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
High performance HBV multipliers monolithically integrated onto a host quartz substrate
Auteur(s) :
David, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arscott, Steve [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Munier, J.-M. [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Decoopman, Thibaut [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melique, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanbesien, Olivier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaudin, Gérard [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arscott, Steve [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Munier, J.-M. [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Decoopman, Thibaut [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melique, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanbesien, Olivier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaudin, Gérard [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
THz 2002. 2002 IEEE Tenth International Conference on Terahertz Electronics
Ville :
Cambridge
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2002-09-10
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Substrates
Frequency
Circuits
Diodes
Indium gallium arsenide
Varactors
Bandwidth
Matched filters
Filtering
Millimeter wave devices
Frequency
Circuits
Diodes
Indium gallium arsenide
Varactors
Bandwidth
Matched filters
Filtering
Millimeter wave devices
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. ...
Lire la suite >Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filteringLire moins >
Lire la suite >Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filteringLire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :