Titre :

High performance HBV multipliers monolithically integrated onto a host quartz substrate

Auteur(s) :

David, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arscott, Steve [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Munier, J.-M. [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Decoopman, Thibaut [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melique, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanbesien, Olivier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaudin, Gérard [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

THz 2002. 2002 IEEE Tenth International Conference on Terahertz Electronics

Ville :

Cambridge

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

2002-09-10

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Substrates
Frequency
Circuits
Diodes
Indium gallium arsenide
Varactors
Bandwidth
Matched filters
Filtering
Millimeter wave devices

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. ...
Lire la suite >Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filteringLire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL