Titre :

Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm

Auteur(s) :

Bossuet, Alice [Auteur]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Fournier, Jean-Michel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics

Titre de la manifestation scientifique :

19èmes Journées Nationales Micro-ondes

Ville :

Bordeaux

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2015-06-04

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Langue :

Français

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Nationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL