Titre :

Development of Atomic Layer Etching (ALEt) for GaN-based materials

Auteur(s) :

You, Congying [Auteur]
Mannequin, C. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Jacopin, G. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Chevolleau, T. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Durand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vallee, C. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Mariette, H. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Sasaki, M. [Auteur]
Gheeraert, E. [Auteur]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]

Titre de la manifestation scientifique :

International Workshop on Nitride Semiconductors

Ville :

Kanazawa

Pays :

Japon

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-11-11

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL