Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
Author(s) :
Kohn, Erhard [Auteur]
Strobel, E [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, C.N. [Auteur]
Strobel, E [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, C.N. [Auteur]
Conference title :
1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop
City :
Cornell
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
1999
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :