Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs

Type de document :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Titre :

Auteur(s) :

Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Titre de la revue :

Electronics Letters

Éditeur :

IET

Date de publication :

1997

ISSN :

0013-5194

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

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