Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.mee.2010.04.022
Titre :
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
Auteur(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Pagination :
2443 - 2447
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2010-11
ISSN :
0167-9317
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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