Titre :

InAs/AlGaSb Esaki tunnel diodes grown by selective area epitaxy on GaSb (001) substrate

Auteur(s) :

Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Han, Xianglei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fahed, Maria [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
K. Chinni, Vinay [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chauvat, M.-P. [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014

Ville :

Montpellier

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2014

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014

Date de publication :

2014

Mot(s)-clé(s) en anglais :

apertures
current density
molecular beam epitaxial growth
substrates
tunneling

Résumé en anglais : [en]

We report on the realization of AlGaSb/InAs Esaki tunnel diodes on GaSb (001) substrate. Selective area molecular beam epitaxy of InAs is used to define the area of the diodes down to submicron dimensions. A peak current ...
Lire la suite >We report on the realization of AlGaSb/InAs Esaki tunnel diodes on GaSb (001) substrate. Selective area molecular beam epitaxy of InAs is used to define the area of the diodes down to submicron dimensions. A peak current density up to 1.3 MA/cm2 is achieved.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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