Titre :

Microwave optical switches metal-semiconductor-metal Schottky based on GaAs

Auteur(s) :

Benzeghda, Sabah [Auteur]
Laboratoire de recherche microsystèmes et instrumentation [LMI]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hobar, Farida [Auteur]
Laboratoire de recherche microsystèmes et instrumentation [LMI]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Benzeghda, A. [Auteur]
Laboratoire de recherche microsystèmes et instrumentation [LMI]

Titre de la manifestation scientifique :

International Conference on Renewable Energies and Power Quality, ICREPQ'14

Ville :

Córdoba

Pays :

Espagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2014

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of 2014 International Conference on Renewable Energies and Power Quality, ICREPQ'14

Date de publication :

2014

Mot(s)-clé(s) en anglais :

impulse response
MSM photodetector
space charge

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Interdigitated metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors have received considerable attention for applications in microwave optical phoswitches. The impulse response of interdigitated metal-semiconductor- metal ...
Lire la suite >Interdigitated metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors have received considerable attention for applications in microwave optical phoswitches. The impulse response of interdigitated metal-semiconductor- metal photoswich fabricated on GaAs non-intentional doped (NID) absorbing layer is investigated. The photodetector MSM is introduced in the microwave lines have active surfaces of 3x3 μm2 and electrode spacing of 0.2, 0.3, 0.5 and 1 μm. The photocurrent response was measured after excitation and we found that the screening of the dark electric field and charge accumulation exceedingly modify the drift conditions of the photogenerated electrons and holes in active region of the MSM photoswich.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL