Réalisation et caractérisation de transistors ...

Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique
Auteur(s) :
Bouzid-Driad, Samira [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2013
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
Harvested from HAL