AlGaN/GaN heterostructures with very-thin ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
AlGaN/GaN heterostructures with very-thin buffer on Si (111) for NEMS applications : electrical and mechanical study
Auteur(s) :
Leclaire, P. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]

Faucher, Marc [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
22nd European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013
Ville :
Glasgow, Scotland
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2013
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 22nd European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013
Date de publication :
2013
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :