Impact of gate length on pulsed IV ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs
Auteur(s) :
Heuken, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Lecourt, F. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Kalisch, H. [Auteur]
Ketteniss, N. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9
Ville :
Glasgow
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL