Electron-phonon scattering in Si and Ge : ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SISPAD.2011.6035046
Titre :
Electron-phonon scattering in Si and Ge : from bulk to nanodevices
Auteur(s) :
Rideau, D. [Auteur]
Zhang, W. [Auteur]
Niquet, Y.M. [Auteur]
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tavernier, C. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2011
Ville :
Osaka
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2011
Date de publication :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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