Revisited RF compact model of gate resistance ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/TED.2012.2225146
Titre :
Revisited RF compact model of gate resistance suitable for high-K/metal gate technology
Auteur(s) :
Dormieu, B. [Auteur]
Scheer, P. [Auteur]
Charbuillet, C. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
13-19
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2013
ISSN :
0018-9383
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL