Impurity-limited mobility and variability in gate-all-around silicon nanowires

Type de document :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

153119-1-4

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2012

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

Impurity-limited mobility and variability ... BibTeX CSV Excel RIS