Titre :

Opening of simultaneous photonic and phononic band gap in two-dimensional square lattice periodic structure

Auteur(s) :

Bria, Driss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut Jean Lamour [IJL]
Assouar, B. [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Oudich, Mourad [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Pennec (Admin), Yan [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vasseur, Jérôme [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Djafari-Rouhani, Bahram [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics

Pagination :

014507

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2011

ISSN :

0021-8979

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

We discuss two points related to the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in a two-dimensional crystal constituted by a square array of holes drilled in a matrix. In a first part, using the case of a ...
Lire la suite >We discuss two points related to the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in a two-dimensional crystal constituted by a square array of holes drilled in a matrix. In a first part, using the case of a sapphire sample in the microwave range, we show that in addition to the phononic gap, an absolute photonic gap may be obtained making use of the high values as well as the anisotropy of the dielectric matrix elements in the microwave regime. In a second part, using the case of silicon in the telecom frequency range, we demonstrate that absolute photonic and phononic gaps may be obtained by making a combination of two crystals having slightly different filling factors. The calculations of the band structures and transmission coefficients were mainly computed using the finite difference time domain method.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL