Random telegraph signal and low frequency ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Random telegraph signal and low frequency noise in silicon charge-sensitive electrometers
Auteur(s) :
Clement, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2009
Ville :
Miyagi
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :