Titre :

Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy

Auteur(s) :

Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]

Titre de la revue :

Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications

Pagination :

1783-1785

Éditeur :

INOE Publishing House

Date de publication :

2010

ISSN :

1842-6573

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL