Tunable room temperature THz emission from ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIMW.2010.5612620
Titre :
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Auteur(s) :
Dyakonova, N. [Auteur]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, D. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Teppe, F. [Auteur]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL