DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2010.5516313
Titre :
DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs
Auteur(s) :
Moschetti, G. [Auteur]
Nilsson, P.A. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rodilla, H. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL