Titre :

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Auteur(s) :

Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Xu, Z. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Tan, Kianhuan [Auteur]
Loke, Wan Khai [Auteur]
Wicaksono, Satrio [Auteur]
Yoon, Soon [Auteur]
Legrand, Christiane [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

704-706

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2010

ISSN :

0741-3106

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Cutoff frequency
dilute nitride
GaNAsSb
waveguide photodetector (WGPD)

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength ...
Lire la suite >The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device exhibits a record value of cutoff frequency of 16.5 GHz.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL