Si nanowire ion-sensitive field-effect ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1063/1.3123002
Titre :
Si nanowire ion-sensitive field-effect transistors with a shared floating gate
Auteur(s) :
Nishiguchi, K. [Auteur]
Clement, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yamaguchi, T. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
163106-1-3
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2009
ISSN :
0003-6951
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL