Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT epitaxy on silicon and engineering substrates exhibiting improved performances
Auteur(s) :
Lahreche, H. [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Lijadi, M. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Thuret, J. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
Delage, S. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007
Ville :
Venice
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL