InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
Auteur(s) :
Alomari, M. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Lester Eastman Conference on High Performance Devices
Ville :
Newark, DE
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL