Titre :

Integration of PtSi in p-type MOSFETs using a sacrificial low-temperature germanidation process

Auteur(s) :

Breil, Nicolas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Halimaoui, Aomar [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Pouydebasque, Arnaud [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Larrieu, Guilhem [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laszcz, Adam [Auteur]
Ratajcak, J. [Auteur]
Skotnicki, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

152-154

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2008

ISSN :

0741-3106

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Etching
platinum
Schottky barriers
semiconductor-metal interfaces
silicon

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this letter, an original selective etching method of Pt with respect to PtSi using a sacrificial low-temperature germanidation process is used for the integration of valence band edge contacts in p-type MOSFET devices. ...
Lire la suite >In this letter, an original selective etching method of Pt with respect to PtSi using a sacrificial low-temperature germanidation process is used for the integration of valence band edge contacts in p-type MOSFET devices. After silicidation annealing, the excess of Pt due to incomplete reaction with silicon or standing on insulating layers can be transformed into the PtGe2 phase. The solubility of this phase in a sulfuric peroxide mixture (SPM) with-out altering PtSi is demonstrated. The suitability and scalability of the proposed integration scheme is shown through the successful integration and characterization of PtSi source/drain contacts in p-type MOSFETs.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL