Titre :

Photochemical oxidation of hydrogenated boron-doped diamond surfaces

Auteur(s) :

Boukherroub, Rabah [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut de Recherche Interdisciplinaire [Villeneuve d'Ascq] [IRI]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Szunerits, Sabine [Auteur]
Laboratoire d'Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des Interfaces [LEPMI ]
Marcus, Bernadette [Auteur]
Laboratoire d'Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des Interfaces [LEPMI ]
Bouvier, Pierre [Auteur]
Laboratoire d'Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des Interfaces [LEPMI ]
Mermoux, Michel [Auteur]
Laboratoire d'Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des Interfaces [LEPMI ]

Titre de la revue :

Electrochemistry Communications

Pagination :

pp. 937-940

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2005-09

ISSN :

1388-2481

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Boron-doped polycrystalline diamond
Photochemical oxidation
Electrochemical properties
Surface chemical reactivity

Discipline(s) HAL :

Chimie/Matériaux

Résumé en anglais : [en]

We describe the photochemical oxidation of polycrystalline boron-doped diamond films by UV irradiation in air at room temperature. The reaction generates surface hydroxyl groups that have been coupled with perfluorodecyl ...
Lire la suite >We describe the photochemical oxidation of polycrystalline boron-doped diamond films by UV irradiation in air at room temperature. The reaction generates surface hydroxyl groups that have been coupled with perfluorodecyl trichlorosilane to yield an organic layer covalently attached to the diamond surface. The resulting surfaces were characterized using X-ray photoelectron spectroscopy, contact angle and cyclic voltammetry.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL