Title :

Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

Author(s) :

Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Pages :

1505-1510

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2008-07-02

ISSN :

0018-9480

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

English abstract : [en]

We report for the first time to our knowledge large-signal measurements performed at 600 MHz and in time domain on carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) using a large-signal network analyzer. To overcome the ...
Show more >We report for the first time to our knowledge large-signal measurements performed at 600 MHz and in time domain on carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) using a large-signal network analyzer. To overcome the very high mismatch between the high CNFET impedance and the basic 50-Omega configuration of the setup, the output impedance was matched with the help of an experimental active load-pull configuration. Hence, we were able to observe under large-signal conditions the nonlinear behavior of CNFETs. Static measurements and continuous-wave S ij -parameter measurements were made for many different biases. They were used in order to determine a nonlinear electrical model that has been validated thanks to the nonlinear measurements. The developed model opens the way for electrical CNFET circuit simulation and nonlinear applications of these devices.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Nano dispositifs à base de nanotubes de carbone pour applications multi-GHz

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL