Titre :

Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

Auteur(s) :

Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
SOITEC
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Pagination :

1505-1510

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2008-07-02

ISSN :

0018-9480

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Résumé en anglais : [en]

We report for the first time to our knowledge large-signal measurements performed at 600 MHz and in time domain on carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) using a large-signal network analyzer. To overcome the ...
Lire la suite >We report for the first time to our knowledge large-signal measurements performed at 600 MHz and in time domain on carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) using a large-signal network analyzer. To overcome the very high mismatch between the high CNFET impedance and the basic 50-Omega configuration of the setup, the output impedance was matched with the help of an experimental active load-pull configuration. Hence, we were able to observe under large-signal conditions the nonlinear behavior of CNFETs. Static measurements and continuous-wave S ij -parameter measurements were made for many different biases. They were used in order to determine a nonlinear electrical model that has been validated thanks to the nonlinear measurements. The developed model opens the way for electrical CNFET circuit simulation and nonlinear applications of these devices.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Nano dispositifs à base de nanotubes de carbone pour applications multi-GHz

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL