AlInN/GaN a suitable HEMT device for ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/MWSYM.2007.380349
Titre :
AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications
Auteur(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Vandenbrouck, S. [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
IEEE International Microwave Symposium Digest, IEEE/MTT-S 2007
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL