Electron lifetime measurements of heavily ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2007.381257
Titre :
Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density
Auteur(s) :
Vignaud, Dominique [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur] refId
Lampin, Jean-Francois [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Godey, Sylvie [Auteur] refId
Mollot, F. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL