Title :

3-Dimensional process simulation of thermal annealing of low dose implanted dopants in silicon

Author(s) :

Senez, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Herbaux, J. [Auteur]
Hoffmann, T. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]

Journal title :

IEICE Transactions on Electronics

Pages :

1267-1274

Publisher :

Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Publication date :

2000

ISSN :

0916-8524

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL