HEMT structures and technology on GaAs and ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range
Author(s) :
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Bonte, B. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Rousseau, Michel [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Start date of the conference :
2001
Book title :
Proceedings of the 9th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2001
Publisher :
European Microwave Association, UK
Publication date :
2001
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL