Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements
Auteur(s) :
Schreus, D. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Germain, Marie [Auteur]
Borghs, G. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003
Ville :
Fürigen
Pays :
Suisse
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL