LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide
Auteur(s) :
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Romann, A. [Auteur]
Magis, M. [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Di Persio, J. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5
Ville :
Nara
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Date de publication :
2003
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL