Inelastic electron tunneling spectroscopy ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Inelastic electron tunneling spectroscopy in n-MOS junctions with ultra-thin oxides
Auteur(s) :
Petit, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salace, G. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
1663-1668
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2003
ISSN :
0038-1101
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL