A new empirical nonlinear model for sub-250 ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/LMWC.2003.815687
Titre :
A new empirical nonlinear model for sub-250 nm channel MOSFET
Auteur(s) :
Siligaris, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Schreurs, Dominique [Auteur]
Catholic University of Leuven = Katholieke Universiteit Leuven [KU Leuven]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Pagination :
449-451
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2003
ISSN :
1531-1309
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Charge conservation
large signal measurements
MOS transistors
nonlinear RF modeling
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
An empirical nonlinear model for sub-250 nm channel length MOSFET is presented which is useful for large signal RF circuit simulation. Our model is made of both analytical drain current and gate charge formulations. The ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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