High current drive in ultra-short impact ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
High current drive in ultra-short impact ionization MOS (I-MOS) devices
Auteur(s) :
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Monfray, S. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur] refId
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2006
Titre de l’ouvrage :
International Electron Device Meeting Technical Digest, IEDM 2006
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2006
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL