Title :

High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration

Author(s) :

Lheurette, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salzenstein, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Electronics Letters

Pages :

1417-1418

Publisher :

IET

Publication date :

1996

ISSN :

0013-5194

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Autre

English abstract : [en]

Single (SHBV) and dual (DHBV) heterostructure barrier varactors with AlAs/In0.52Al0.48As bolocking conductionlayers have been fabricated and characterized. The devices, whose electrical properties scale with layer complexity, ...
Show more >Single (SHBV) and dual (DHBV) heterostructure barrier varactors with AlAs/In0.52Al0.48As bolocking conductionlayers have been fabricated and characterized. The devices, whose electrical properties scale with layer complexity, exhibit, for a DHBV scheme, leakage currents as low as 10 A/cm² at 12V, a zero bias capacitance of 1 fF/micro m², and capacitance ratio of 5:1.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Comment :

E. Lheurette, P. Mounaix, P. Salzenstein, F. Mollot and D. Lippens, "High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration", Electronics Letters, 18th July 1996, 32, N°15, pp. 1417-1418

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL