Gate current and 2D electron concentration ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1049/el:19880643
Titre :
Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET
Auteur(s) :
Depreeuw, D. [Auteur]
Godts, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
944
Éditeur :
IET
Date de publication :
1988
ISSN :
0013-5194
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL