Thermal response and correlation between ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.mee.2019.111148
Titre :
Thermal response and correlation between mobility and kink effect in GaN HEMTs
Auteur(s) :
Alim, Mohammad A. [Auteur correspondant]
Afrin, S. [Auteur]
Rezazadeh, A. A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Pagination :
111148, 5 pages
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2020-01-15
ISSN :
0167-9317
Mot(s)-clé(s) en anglais :
AlGaN/GaN FET
Mobility
Kink effect
Traps
Thermal behaviour
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
This work notices the relation among the kink effect and the mobility in AlGaN/GaN HEMT and its response to temperature. The kink phenomenon found in transistor behaviour are carefully characterized at persuade point which ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL