Titre :

Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors

Auteur(s) :

El Fatimy, Abdelouahad [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Boubanga Tombet, Stephane [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Veksler, D. B. [Auteur]
Rumyantsev, S. [Auteur]
Shur, M. S. [Auteur]
Pala, N. [Auteur]
Gaska, R. [Auteur]
Fareed, Q. [Auteur]
Hu, X. [Auteur]
Seliuta, D. [Auteur]
Valusis, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Electronics Letters

Pagination :

1342-1344

Éditeur :

IET

Date de publication :

2006

ISSN :

0013-5194

Mot(s)-clé(s) en anglais :

FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RESONANT DETECTION
SUB-TERAHERTZ
PLASMA-WAVES
RADIATION

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Résumé en anglais : [en]

Detection of subterahertz and terahertz radiation by high electron mobility GaN/AlGaN transistors in the 0.2-2.5 THz frequency range (much higher than the cutoff frequency of the transistors) is reported. Experiments were ...
Lire la suite >Detection of subterahertz and terahertz radiation by high electron mobility GaN/AlGaN transistors in the 0.2-2.5 THz frequency range (much higher than the cutoff frequency of the transistors) is reported. Experiments were performed in the temperature range 4-300 K For the lowest temperatures, a resonant response was observed. The resonances were interpreted as plasma wave excitations in gated two-dimensional electron gas. Non-resonant detection was observed at temperatures above 100 K. Estimates for noise equivalent power show that these transistors can be used as efficient detectors of terahertz radiation at cryogenic and room temperatures.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL