Titre :

Sub-Micron thick Step-Graded AlGaN Buffer on Silicon with a Buffer Breakdown Field Higher Than 6 MV/cm

Auteur(s) :

Carneiro, Elodie [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Rennesson, Stéphane [Auteur]
EasyGaN
Tamariz, S. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022

Ville :

Berlin

Pays :

Allemagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-10-09

Titre de l’ouvrage :

Proceeding of IWN2022

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL