GAP(111)B-SE Surface for TMD epitaxial growth

Type de document :

Autre communication scientifique

Titre :

GAP(111)B-SE Surface for TMD epitaxial growth

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Langue :

Anglais

Projet ANR :

Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D

Collections :

Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Fichiers

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03828069/document
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