Dynamic hysteresis and scaling behavior ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.tsf.2015.01.033
Titre :
Dynamic hysteresis and scaling behavior in epitaxial antiferroelectric film
Auteur(s) :
Jun, Ge [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shanghai Institute of Ceramics
Chen, Ying [Auteur]
Shanghai Institute of Ceramics
Dong, Xian-Lin [Auteur]
Shanghai Institute of Ceramics
Remiens, Denis [Auteur] refId
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guo, Xin [Auteur]
Shanghai Institute of Ceramics
Cao, Fei [Auteur]
Shanghai Institute of Ceramics
Wang, Gen-Shui [Auteur]
Shanghai Institute of Ceramics
Titre de la revue :
Thin Solid Films
Pagination :
108-111
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2015-06-01
ISSN :
0040-6090
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Dynamic hysteresis
Scaling behavior
Antiferroelectric film
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this study, we investigated the scaling behavior of dynamic hysteresis with frequency f and electric field E in epitaxial PbZrO3 antiferroelectric film on (111)-oriented SrTiO3 substrate. The scaling relation for the ...
Lire la suite >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
Thumbnail
Thumbnail